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一、SWM341系列使用注意事项 1.1、注意：SWM341使用的是ARM China公司的STARMC1内核，它是ARM China公司的Cortex-M33实现，其技术规格与Cortex-M33几乎完全一致，因此在Keil和Segger Jlink中选择器件型号时可直接选择
由于Cortex-M33是新出的内核，因此对编译和下载软件有版本要求，如下： 1、MDK532及以上 2、Segger JLink 6.88及以上
MDK532中删除了早期MDK中默认的编译器“Compiler Version 5”，只保留了“Compiler Version 6”， 这两个编译器差异较大，之前正常工作的代码使用新版编译器编译后可能无法工作，需要特别注意。已经发现的重要区别如下： 在优化等级1下，“for(i=0; i<5000000; i++) i = i;”会被编译器完全优化掉，需使用 “for(i=0; i<5000000; i++) __NOP();”替代
1.2、Keil 仿真过程中jflash弹出问题，目前看这个只有5.38版本有，建议客户keil版本控制在5.33~5.37 --liuzc 2023-4-17
1.3、GCC在SWM341上的应用 现象：深圳高通反映SWM341 用GCC编译UI例程会报错显示内存步骤，经过排查发现arm-none-eabi-gcc 不识别 __attribute__(at(xxx))指令，导致编译错误。 --Liuzc 2023-5-25
1.4、现象：合力泰（SWM34SRE）使用MDK530（keil5.30）版本，客户编译我们SWM341，也可以识别芯片内核进行下载，但是LVGL 例程里面不勾选microlib时，会报错 Error: L6915E: Library reports error: __use_no_semihosting was requested, but _sys_command_string was referenced。 分析与解决：根据某ARM社区的引用(如下图所示)，是keil AC6编译器在O0编译等级下出现的报错，需要把AC6编译器对应升级成6.15以上才能解决 --Liuzc 2023-5-25
1.5、Image2Lcd应用 现 象：客户久硕，使用的是SWM34SRE，客户用Image2Lcd工具把图片转换.c文件显示异常，其转换设置把高位设在前； 分析解决：把设高位在前的设置去掉，转换出来.c文件能正常显示；
1.6、KEIL 编译等级应用 现 象:客户目前使用SWM34SRE项目界面和功能设计完成，但是开机时间特别慢，所有界面预加载需要40多秒，经过远程检查，客户代码并没有什么问题。 分析与解决：编译等级从default改成O-fast，直接把时间缩短至15秒左右。客户希望继续优化，由于代码方面已经找不到其他拖慢地方，所有语句都是最简的。所以，建议客户其他界面的lv_obj_add_style语句加载显示过程中再调用，从而减少加载的时间。
1.7、__nop()与编译等级应用 现 象:客户使用SWM34SRE反映也奇怪的问题，程序用O0编译电容触摸可以正常初始化，用O1则不行，读取的电容触摸ID会一直不对。 分析与解决：经过检查电容触摸初始化前会有一个延时，客户的while循环延时没有加上__nop(),导致编译器在O1等级下把函数优化了，复位后不带延时会导致电容触摸初始化有问题。目前把__nop()加上即可。
1.8、经常碰到客户在使用34S的过程中，程序跑飞或找不到核后，需要进处ISP处理，为了加快对客户的问题响应，专门制作了一份ISP模式方案参考： SWM341（34S）ISP 模式参考-----------V1.2 在需要 ISP（BOOT）模式，比如 SWD 在加密锁住，或改程序找不到核，可参考如下烧录或擦除程序： 1）、ISP 引脚（A8）接 3.3V 重新上电 （或按一次 MCU 的复位脚按键），把 SWD 烧录口的 B12 B14 按下 图接 CH340 的串口 (串口转换芯片只能是 CH340 系列；3.3V 的电平，不能是 5V；不要接集线器转换);
2）、打开电脑端上位机 SYNWIT PRG 3.XX.exe (比如 SYNWIT-PRG_V3.3.6.exe) ,百度网盘下载路径：01 00 00 .
3）、波特率 115200（会自动适应，不用设置），选串口（不要选 Jlink）;选 MCU（不要选 ZB103）; 打开串口，复位 MCU 的复位引脚马上点击握手，会显示握手成功，点击全部擦除，会提示擦除成功。 4）、此时断开 A8 和 3.3V 的连接，重新上电或复位，就可以正常使用。 5）、建议调试时，在前面的大循环里加入延时， 比如： /* 在调测阶段, 预防程序跑飞后, 上电无法读取 MCU 核*/ uint32_t i = 0; for (i = 0; i < 666666 * 10; ++i) __NOP(); 6）、连接好硬件接口后，SYNWIT PRG ISP 上位机操作方案如下：
7）、此 ISP（BOOT）模式可以烧录程序：点击打开，打开需要的 bin 文件，点一键下载，就可以烧录完成， 擦除程序或重新烧录后，就可以重新使用 SWD 模式使用，见下：
1.9、SWM34Sxxx 产品设计 EMC 建议 Ver: 1.3 1）、整体布局，5V 转 3.3V 就近最小环路， 3.3V 供电各器件的地在滤波电容后地位置处（圆圈位置），星形接地, 或直接用 0 欧电阻分接不同的地，分别给 MCU、SPI FLASH、TFT LCD 相连(即地 1 、2、 3 )；5V 的升压芯片地和 3.3V 地分开。 2）、3.3V 的供电和地线，经过滤波电容，再接到 MCU ，MCU 的每个 3.3V 供电脚，放一个滤波电容；如果 5V或 3.3V 的走线过长超过 6cm，需要过一段接个对地去耦电容，经验值 0.1uF+1000pF；3.3V 换层时尽量同时有 2个孔或大的过孔，以保证高频干扰时，3.3V 前后电位一样；滤波电容的地打 2 个以上的过孔同时连接（尽量）； 3）、显示屏的 LCD_PCLK 从芯片引脚到显示屏距离最短位置摆放，芯片靠近显示屏排线座。 (LCD_PCLK 引脚SWM34S 是 B5，未使用 SD 卡时可以改用 N0),底层铺铜，CLK 信号线不要打过孔换层，两边包地，从 MCU 的地一直包着 LCD_CLK 到显示屏;两边的地多打孔到底层的地，U 形槽形状半包围 CLK 信号； 减弱 CLK 信号对外的辐射强度：外接 CRC 的方式，LCD_CLK 对地并 220pF 电容，再串电阻 100R ，并 47P 电容到地, 靠近 MCU；显示屏的地可参考第 1 项的引出点引出，不要连接其它高频地;(电阻加入后要测波形，并且留裕量，保证批量的产品都能正常工作) 参考下图示： 4）、晶振： 使用带屏蔽接地的晶振，尽可能靠近 MCU 摆放，晶振的地接 MCU 的地，底层包地，周围多打过孔，起到没有屏蔽罩也有屏蔽的作用；降低晶振的振荡幅度，改善尖状高频信号：高频晶振的输出引脚 XO 可以串入 100 欧左右的电阻或磁珠，同时在 XO XI 并联 2MΩ的电阻，晶振展频降低振荡幅度（此处要合理，需要示波器验证波形，电阻降额使用，不要串的电阻太大，导致不同的 MCU 晶振不振荡）； 5）、SPI FLASH 走线不要打孔，尽可能地靠近 MCU 摆放,实物封装用 SOIC-8（比 SOP8 宽）；MCU 与 SPI Flash的地尽可能多地连接，尽量正反面打孔多连接(比如 3.3V 的走线可以放外面或过顶层，底层后，让出地)； 5V 地 1 3V 地 2 地 2 地 2 地 2 6）、TF 卡也要就近放,DATA 尽量平行等长；滤波电容要靠近 TF 卡的 3.3V，工作时不要有大于 500mV 纹波； 7）、MCU 底下的地要多连接各个方向，MCU 底下地多打过孔，3.3V 的电源可以换层，多打连接孔，使顶层底层的地尽可能多地接在一起；比如先在正面走线到 MCU 一半后再打孔，使 MCU 的地上下连接稳定。打孔多可以给 MCU 散热，也可以增强顶层底层地的完整的地平面效果。铺铜的端部要打孔，不要有尖端未连接的地线。 8）、5V 的器件接 5V 的地，和 3.3V 的地远离分开; 如果有升压电路，5V 分一路出来给升压电路，升压电路放在显示屏的 LEDA LEDK 就近摆放, 中间不要有高速 CLK 信号线或别的线穿过, 升压线路越短越好； 如果有功放电路，功放电流大会引起 5V 波动，可以从 5V 滤波处单独分一组地给功放，电源串入小电阻再加滤波电容，实际工作时最大音量测试 5V 各电源的纹波，减小对 5V 电源的影响； 9）、不使用的 IO 口，软件配置，（上拉输入，下拉输入，上拉输出 0，下拉输出 0 都可），不要悬浮； 10）、SWD 烧录口就近 MCU 摆放；如果超过 20CM，需要接上拉电阻 10K, 减上干扰和增强烧录的能力； 11）、对于 MCU 处的辐射，可以预留 IC 屏蔽罩，驱动显示屏的排阻和 SPI Flash，MCU 的晶振，靠近 MCU 摆放； 12）、周边螺丝孔：周边一圈环状连接，四个角落各放元件连接，再接内部的地，比如用 0.1 电容并 1M 电阻； 13）、其它高速的 CLK 或 UART，可以接 RC 限制尖脉冲，可选 33R 以下和 33P 以下容值配合，靠近发送源摆放； 14）、预留显示屏金属外壳和 PCB 的地相连，比如 PCB 的地开窗，或焊接贴屏蔽铜箔等，把显示屏外壳接地； 15）、如果 PCB 尺寸较大，引脚比较多的 MCU，MCU 对角和 PCB 对角都加 MARKING 点,方便贴片机对位； 16）、外边框要用 MECH1 层，不要用 KEEPOUT 层，按行业要求，各个 PCB 厂生产都不会有错误。 17）、ESD 抑制和抗浪涌方面，可以在 3.3V 输入 MCU 前和 USB、TF、UART 等信号脚对地并 TVS 管,在电源输入接共模电感；RST 引脚远离边缘，对 MCU 输入串 100R 电阻 ; 18）、通常测试 EMC 时，如果频点刚好在主频 150M（或 2 倍 300M），一般是 LCD_CLK 这里发出，可以更改主频验证，比如改到 120M，看是否跟着变化 ;如果晶振 12M，测试有 120M 的频点辐射,可以改为内部振荡 20M 再PLL 倍频等，看频点是否跟着改变；实际生产时，也可认降频减小辐射（在能达到刷图效果的前提下）； 19）、真实案例：MCU 的引脚逆时针增加序号，FPC 接口 PIN 较多，确认清楚哪边是第一脚，不要设计反。 20）、元件在 PCB 边缘地尽量平行板边放置或远离板边以防 90 度放置，在分板时元件断裂；至少一对对称边 3—5mm 不要摆放元件，作为工作边拼板，便于批量生产。
1.10、 使用SWM341系列MCU环境配置 Ver: 1.1 SWM341是华芯微特的其中一款MCU，341和341+内置SDRAM的34S系列，其内核相同。 341芯片使用M33内核，基于Arm-v8指令集的架构，比M4还要新，对应的工具需要升级; 1）、使用KEIL版本: 在5.33以上，兼容性更好(最好是5.33—5.36之间，5.37编译时有时报错); 2）、调试工具: 可认用Jlink,或DAPlink, JLINK硬件、软件版本分别要V9以上，6.98以上； daplink需要支持armV8版本（注意，设置flash Dowhoad的SIZE,改成0x4000分配给下载算法flm的ram要充足） 3）、搭建调试环境,PACK包、基础库、软件例程、硬件原理图和PCB(AD16)、屏驱动应用笔记（强烈建议先查看） SYNWIT系列技术应用资料 （会不定时更新，请保存链接，及时下载最新内容） 百度网盘链接：https://pan.baidu.com/s/1atLWlk1_SUR8WjISr-Bfpw 提取码：byv2 图1：MCU PACK包下载地址(含多个MCU) 图2：341 各模块基础库下载路径 图3：64PIN 34SRE 主控板原理图PCB 图4：100PIN 34SVE 主控板原理图PCB 图5: 软件演示例程(多合一可选) 图6：SWM34Sxxxx驱动TFT-LCD应用笔记
4）、屏驱上位机Synwit UI Creator，已免费开放使用，所见即所得,基于LVGL 7.11的UI，下载路径：01 / 100；使用手册同目录；（注意：不要用中文名路径，路径不要太深，安装时关闭杀毒软件） 5）、34S系列介绍：内置SDRAM(有2MB 8MB 16MB几种),硬件方式驱动。34S最高主频140M。可以支持24bit/16bit / 8bit / spi 方式驱动TFT彩色液晶显示屏。具有SD/USB/CAN等接口，适合应用于对UI 显示相对高，播放AVI视频，JPEG硬解码，需要程序存储大的应用场合。建议显示屏分辨率在1024x600以内。建议在LVGL GUI v7.11以内引用运行。 6）、在使用过程中，MCU支持JLINK下载，如果发现找不到核，可以参看《SWM341找不到核参考方案》；MCU支持在加密或锁住后, ISP模式（BOOT 串口模式）擦除程序或烧录程序，参看《SWM341系列ISP模式操作参考》 | 
发表于 2024-1-2 15:29:26
