TFTLCD驱动应用

zhangyb

九阳项目中，测试辐射干扰应用中收集。

3.1、晶振回路的设计

晶振的XI、XO接1~2MΩ的电阻，同时XO输出端可预留600RH的磁珠到GND；另外，晶振的拜访布局尽量靠近MCU，离板框的距离超过5mm。对辐射干扰起到一定的作用。

3.2、TFT-LCD接口要求

在设计中，RGB数据、Hsync、Vsync、PCLK、DE等信号线建议预留串接22~33欧姆，起到一定抗干扰辐射作用。同时，根据产品应用的需求，也可增加ESD的处理。如下图所示

3.3、SD卡的设计

SD卡的CLK端口可以串接33Ω电阻，以降低辐射干扰。

3.4、外挂SPI-FLASH

SD卡的CLK端口可以串接33Ω电阻，以降低辐射干扰。

3.5、触摸接口

触摸接口一般为I2C通讯方式，建议I2C数据线上串接33Ω电阻，以降低辐射干扰。

3.6、背光驱动

3.6.1 背光电路可参考如下，其中R29、C33作为吸收回路，对辐射干扰起到一定作用；PIN6-VIN串接10Ω电阻，以防止ESD引起电压反串到升压芯片

3.6.2 屏驱背光升压电路二极管发烫问题   

现      象：客户多知技术反馈不接屏上电，D3发热严重，电路如下图。

分析与解决：不接屏时，升压芯片因为是恒流，可能会烧坏，加上D3后，可以保护升压芯片不会烧坏但稳压管D3     可能会发烫，所以D3要尽量用大功率的封装如SMA，也可以先接屏后上电。

3.7、导电胶布释放干扰的处理

在设计PCB时，可在TFTLCD模组连接器的附近预留接地焊盘，应用导电胶布将TFTLCD模组、连接器进行连接后接入设计好的接地焊盘，对来自TFTLCD模组的干扰起到一定的释放。